研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不规则球状节瘤，本文称此现象为靶材毒化，毒化使溅射速率下降，膜质劣化，迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射，严重影响了镀膜效率。

黑龙江AZO陶瓷靶材价格咨询IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互掺杂得到，是一种透明金属氧化物半导体材料。

ITO（氧化铟锡）靶材是溅射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一种，在显示靶材中占比将近60%。ITO靶材就是将氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型，再高温气氛烧结（1600度，通氧气烧结）形成的黑灰色陶瓷半导体。中低端ITO靶材有玻璃镀膜靶材、发热膜和热反射膜靶材，包括汽车的显示屏、一些仪器仪表的显示。优异的ITO靶材主要用于显示器薄膜靶材、集成电路薄膜靶材以及磁记录和光记录膜靶材，尤其用于大面积、大规格的LED、OLED等领域，具备高密度、高纯度、高均匀性等特点。

主要PVD方法的特点：（3）溅射镀膜：在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专业性强、精密度高，市场长期被美国、日本跨国集团垄断。（4）终端应用：1）半导体芯片：单元器件中的介质层、导体层与保护层需要钽、钨、铜、铝、钛等金属。2）平板显示器件：为了保证大面积膜层的均匀性，提高生产率和降低成本，溅射技术镀膜需要钼、铝、ITO等材料；3）薄膜太阳能电池一一第三代，溅射镀膜工艺是被优先选用的制备方法，靶材是不可或缺的原材料；4）计算机储存器：磁信息存储、磁光信息存储和全光信息存储等。在光盘、机械硬盘等记录媒体，需要用铬基、钴基合金等金属材料。溅射靶材绑定背板流程；

平板显示行业主要在显示面板和触控屏面板两个产品生产环节需要使用靶材溅射镀膜，主要用于制作ITO玻璃及触控屏电极，用量比较大的是氧化铟锡（ITO）靶材，其次还有钼、铝、硅等金属靶材。1）平板显示面板的生产工艺中，玻璃基板要经过多次溅射镀膜形成ITO 玻璃，然后再经过镀膜，加工组装用于生产LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）触控屏的生产则还需将ITO 玻璃进行加工处理、经过镀膜形成电极，再与防护屏等部件组装加工而成。采用硅靶材溅镀形成的二氧化硅膜则主要起增加玻璃与ITO 膜的附着力和平整性、表面钝化和保护等作用，MoAlMo（钼铝钼）靶材镀膜后蚀刻主要起金属引线搭桥的作用。此外，为了实现平板显示产品的抗反射、消影等功能，还可以在镀膜环节中增加相应膜层的镀膜。冷等静压法制备ITO靶材优点。中国台湾陶瓷靶材价钱