太阳紫外测量系统
d)数据采集单元
①模拟输入：16个单端通道（8个差分）；
②控制端子: 数字I/O，RS232/RS485，半/全双工；
③CPU: 32bit，FPU，100Hz，1MB运存;
④内存: 128MB，
⑤工作环境温度: -40~70℃；
⑥数据无线传输（含域名使用、平台租用、免1年流量）
⑦定制线缆（20米电源及数据线），固定件根据现场情况选配。
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紫外探测技术向成像阵列方向发展
紫外增强Si光电探测器具有技术成熟、紫外波段响应度较高的优点，但是需要复杂的滤光结构，甚至难以实现。第三代半导体紫外传感器方面，基于新型宽禁带半导体材料（如: GaN、SiC）的紫外感光芯片具有显着的潜在应用优势，是世界各主要国家研发的重点。
氧化，金刚石，氮化硼等宽禁带材料成熟度相对低，禁带宽度偏大。GaN基半导体是制备蓝光及白光发光二极管和新一代电力电子器件的骨干材料；同时，GaN基半导体还是制备紫外传感器的优选材料。近年来半导体照明产业的高速发展，为GaN基紫外传感器的产业化打下了良好的产业链基础。
紫外探测技术快速向“成像阵列” 发展
陆海表示，由于优异的材料性能，以III族氮化物和SiC为代表的宽禁带半导体是制备紫外传感器件的优选材料。常规结构GaN基和SiC紫外传感器已经达到产业化水平，并在不断拓展新型应用。由于材料成熟度较高，SiC紫外单光子探测器已经可以实现较好的性能。此外，宽禁带半导体紫外探测技术正快速向“成像阵列” 方向发展。
